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在X射线吸收谱中，推进阈值之上60eV以内的低能区的谱出现强的吸收特性,称之为近边吸收结构(XANES)。小编根据常见的材料表征分析分为四个大类，转供材料结构组分表征，材料形貌表征，材料物理化学表征和理论计算分析。

该研究工作利用了XANES等技术分析了富含缺陷的四氧化三钴的化学环境，电改从而证明了其中氧缺陷的存在及其相对含量。革优该项研究也为高性能富锰正极拓宽了其在电池领域的新的应用。目前材料的形貌表征已经是绝大多数材料科学研究的必备支撑数据，力营一个新颖且引人入胜的形貌电镜图也是发表高水平论文的不二法门。

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它不仅反映吸收原子周围环境中原子几何配置，推进而且反映凝聚态物质费米能级附近低能位的电子态的结构，推进因此成为研究材料的化学环境及其缺陷的有用工具。

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2014年2月，商环GE照明发布消息称，GE照明已与照明公司CRS已针对GE的864与999专利进行和解，CRS将支付权利金取得GE两项专利使用权。GE对于6家企业照明装置侵害其美国专利6,799,864与6,787,999，湖北化电牵涉LED散热鳍片、系统的设计，以及取代现有灯具的设计。